উচ্চ গতির প্রোটোকলের জন্য CSPBGA SiT8021 SITIME MEMS অসিলেটর
SiT8021 সিটাইম এমইএমএস অসিলেটর
,সিএসপিবিজিএ সিটাইম এমইএমএস অসিলেটর
,সিটাইম মেমস রেজোনেটর
উচ্চ-গতির সিরিয়াল প্রোটোকলের জন্য SIT8021AC-J4-18S-4.032000 SiT8021 SITIME MEMS অসিলেটর
হাই-স্পিড সিরিয়াল প্রোটোকলের জন্য SITIME MEMS অসিলেটর SIT8021AC-J4-18S-4.032000 SiT8021
অ্যাপ্লিকেশন:
DSC, DVC, DVR, IP CAM, ট্যাবলেট, ই-বুক, SSD, GPON, EPON ইত্যাদির জন্য আদর্শ
উচ্চ-গতির সিরিয়াল প্রোটোকলের জন্য আদর্শ যেমন: USB, SATA, SAS,
ফায়ারওয়্যার, 100M/1G/10G ইথারনেট, ইত্যাদি।
স্পেসিফিকেশন:
শ্রেণী
|
ক্রিস্টাল, অসিলেটর, রেজোনেটর
|
অসিলেটর
|
|
Mfr
|
সিটাইম
|
সিরিজ
|
SiT8021
|
প্যাকেজ
|
স্ট্রিপ
|
পার্ট স্ট্যাটাস
|
সক্রিয়
|
বেস রেজোনেটর
|
MEMS
|
টাইপ
|
XO (স্ট্যান্ডার্ড)
|
ফ্রিকোয়েন্সি
|
4.032 MHz
|
ফাংশন
|
স্ট্যান্ডবাই (পাওয়ার ডাউন)
|
আউটপুট
|
LVCMOS
|
ভোল্টেজ সরবরাহ
|
1.8V
|
ফ্রিকোয়েন্সি স্থিতিশীলতা
|
±100 পিপিএম
|
অ্যাবসলুট পুল রেঞ্জ (এপিআর)
|
-
|
অপারেটিং তাপমাত্রা
|
-20°C ~ 70°C
|
স্প্রেড স্পেকট্রাম ব্যান্ডউইথ
|
-
|
বর্তমান - সরবরাহ (সর্বোচ্চ)
|
130µA
|
রেটিং
|
-
|
মাউন্ট টাইপ
|
গুফ
|
প্যাকেজ/কেস
|
4-UFBGA, CSPBGA
|
আকার / মাত্রা
|
0.059" এল x 0.031" ওয়াট (1.50 মিমি x 0.80 মিমি)
|
উচ্চতা - উপবিষ্ট (সর্বোচ্চ)
|
0.024" (0.60 মিমি)
|
বর্তমান - সরবরাহ (অক্ষম) (সর্বোচ্চ)
|
1.3µA
|
SITIME MEMS অসিলেটরের জন্য আরও পণ্য:
অংশ # | ফ্রিকোয়েন্সি | ভোল্টেজ সরবরাহ | ফ্রিকোয়েন্সি স্থিতিশীলতা | বর্তমান - সরবরাহ (সর্বোচ্চ) | প্যাকেজ/কেস |
SIT9386AE-4B3-33N156.250000E | 156.25 মেগাহার্টজ | 3.3V | ±50 পিপিএম | 92mA | 6-এসএমডি, সীসা নেই |
SIT2044BM-S1-33EA50.000000X | 50 MHz | 3.3V | ±20 পিপিএম | 4.8mA | SC-74A, SOT-753 |
SIT2044BM-S1-33EA50.000000G | 50 MHz | 3.3V | ±20 পিপিএম | 4.8mA | SC-74A, SOT-753 |
SIT8021AC-J4-18S-4.032000 | 4.032 MHz | 1.8V | ±100 পিপিএম | 130µA | 4-UFBGA, CSPBGA |
SiT8021AC-J4-18S-15.000000 | 15 মেগাহার্টজ | 1.8V | ±100ppm | 130µA | 4-UFBGA, CSPBGA |
SIT8021AC-J4-XXS-16.000000 | 16 মেগাহার্টজ | 2.25V ~ 3.63V | ±100 পিপিএম | 160µA | 4-UFBGA, CSPBGA |
SIT1602BIU32-33N-19.200000 | 19.2 মেগাহার্টজ | 3.3V | ±25 পিপিএম | 4.5mA | 4-এসএমডি, সীসা নেই |
SIT8008BIU32-33N-19.200000 | 19.2 মেগাহার্টজ | 3.3V | ±25 পিপিএম | 4.5mA | 4-এসএমডি, সীসা নেই |
SiT8008BC-31-18E-15.000000 | 15 মেগাহার্টজ | 1.8V | ±20 পিপিএম | 3.9mA | 4-এসএমডি, সীসা নেই |
SIT8008BI-31-18E-100.000000 | 100 MHz | 1.8V | ±20 পিপিএম | 3.9mA | 4-এসএমডি, সীসা নেই |
SIT8008BIA73-33E-39.321600 | 39.3216 MHz | 3.3V | ±50 পিপিএম | 4.5mA | 4-এসএমডি, সীসা নেই |
SIT8008BI-71-YYE-12.000000 | 12 MHz | 1.62V ~ 3.63V | ±20 পিপিএম | 4.5mA | 4-এসএমডি, সীসা নেই |
SIT8008BIL71-33S-16.000000 | 16 মেগাহার্টজ | 3.3V | ±20 পিপিএম | 4.5mA | 4-এসএমডি, সীসা নেই |
SIT8008BI-71-33E-3.571200 | 3.5172 মেগাহার্টজ | 3.3V | ±20 পিপিএম | 4.5mA | 4-এসএমডি, সীসা নেই |
SIT2001BCLS2-33S-8.000000 | 8 মেগাহার্টজ | 3.3V | ±20 পিপিএম | 4.5mA | SC-74A, SOT-753 |
SIT8008BI-13-YYS-25.600000 | 25.6 মেগাহার্টজ | 1.62V ~ 3.63V | ±50 পিপিএম | 4.5mA | 4-এসএমডি, সীসা নেই |
SIT1602BIR13-33E-25.000000 | 25 মেগাহার্টজ | 3.3V | ±50 পিপিএম | 4.5mA | 4-এসএমডি, সীসা নেই |
SIT8924BI-13-18E-25.000000 | 25 MHz | 1.8V | ±50 পিপিএম | 4.5mA | 4-এসএমডি, সীসা নেই |
SIT8924BI-23-33S-16.000000 | 16 মেগাহার্টজ | 3.3V | ±50 পিপিএম | 4.8mA | 4-এসএমডি, সীসা নেই |
SIT8918BEF12-33S-8.000000 | 8 মেগাহার্টজ | 3.3V | ±25 পিপিএম | 4.7mA | 4-এসএমডি, সীসা নেই |
SIT3808AI-22-33NZ-50.000000 | 50 MHz | 3.3V | ±25 পিপিএম | 33mA | 6-এসএমডি, সীসা নেই |
SIT8918BE-81-33E-33.177600 | 33.1776 MHz | 3.3V | ±20 পিপিএম | 4.7mA | 4-এসএমডি, সীসা নেই |
SIT8918BE-13-XXN-24.000000 | 24 মেগাহার্টজ | 2.5V ~ 3.3V | ±50 পিপিএম | 4.7mA | 4-এসএমডি, সীসা নেই |
SIT8918BE-13-XXN-8.000000 | 8 মেগাহার্টজ | 2.5V ~ 3.3V | ±50 পিপিএম | 4.7mA | 4-এসএমডি, সীসা নেই |
SIT8008BI-82-33E-40.550400 | 40.5504 MHz | 3.3V | ±25 পিপিএম | 4.5mA | 4-এসএমডি, সীসা নেই |
SIT8008BI-21-33N-33.330000 | 33.33 MHz | 3.3V | ±20 পিপিএম | 4.5mA | 4-এসএমডি, সীসা নেই |
SIT9003AI-33-25DO-33.33300 | 33.333 MHz | 2.5V | ±50 পিপিএম | 4.1mA | 4-এসএমডি, সীসা নেই |
SIT8008BI-21-18E-60.000000 | 60 MHz | 1.8V | ±20 পিপিএম | 3.9mA | 4-এসএমডি, সীসা নেই |
SIT8008BC-81-33E-25.093750 | 25.09375 MHz | 3.3V | ±20 পিপিএম | 4.5mA | 4-এসএমডি, সীসা নেই |
SIT8008BC-81-XXE-25.093750 | 25.09375 MHz | 2.25V ~ 3.63V | ±20 পিপিএম | 4.5mA | 4-এসএমডি, সীসা নেই |
SiT8008BC-81-XXE-25.000625 | 25.000625 MHz | 2.25V ~ 3.63V | ±20 পিপিএম | 4.5mA | 4-এসএমডি, সীসা নেই |
SIT2024BI-S2-33E-25.000000 | 25 মেগাহার্টজ | 3.3V | ±25 পিপিএম | 4.8mA | SC-74A, SOT-753 |
SIT9003ACU83-33ED-12.00000 | 12 MHz | 3.3V | ±50 পিপিএম | 4.1mA | 4-এসএমডি, সীসা নেই |
SIT8924BE-23-XXE-103.680000 | 103.68 MHz | 2.5V ~ 3.3V | ±50 পিপিএম | 4.8mA | 4-এসএমডি, সীসা নেই |
SIT8924BI-11-33E-64.000000 | 64 MHz | 3.3V | ±20 পিপিএম | 4.8mA | 4-এসএমডি, সীসা নেই |
SIT8924BE-22-XXE-103.680000 | 103.68 MHz | 2.5V ~ 3.3V | ±25 পিপিএম | 4.8mA | 4-এসএমডি, সীসা নেই |
SIT8924BE-21-XXE-33.333000 | 33.333 MHz | 2.5V ~ 3.3V | ±20 পিপিএম | 4.8mA | 4-এসএমডি, সীসা নেই |
SIT8924BA-12-18N-24.000000 | 24 মেগাহার্টজ | 1.8V | ±25 পিপিএম | 4.5mA | 4-এসএমডি, সীসা নেই |
SIT9005AI-13-33DO3.110000 | 3.11 মেগাহার্টজ | 3.3V | ±50 পিপিএম | 6.5mA | 4-এসএমডি, সীসা নেই |
SIT8924BA-81-18E-22.579200 | 22.5792 MHz | 1.8V | ±20 পিপিএম | 4.5mA | 4-এসএমডি, সীসা নেই |
SIT8920BM-33-18E-20.000000 | 20 MHz | 1.8V | ±50 পিপিএম | 4.5mA | 4-এসএমডি, সীসা নেই |
SIT9005AI-13-33DO8.334959 | 8.334959 MHz | 3.3V | ±50 পিপিএম | 6.5mA | 4-এসএমডি, সীসা নেই |
SIT9005AI-13-33DO5.151288 | 5.151288 MHz | 3.3V | ±50 পিপিএম | 6.5mA | 4-এসএমডি, সীসা নেই |
বৈশিষ্ট্য:
3.57 MHz এবং 77.76 MHz এর মধ্যে 52 স্ট্যান্ডার্ড ফ্রিকোয়েন্সি
কোয়ার্টজ-ভিত্তিক XO-তে 100% পিন-টু-পিন ড্রপ-ইন প্রতিস্থাপন
চমৎকার মোট ফ্রিকোয়েন্সি স্থায়িত্ব যত কম ±20 পিপিএম
অপারেটিং তাপমাত্রা -40°C থেকে 85°C।125°C এবং/অথবা -55°C এর জন্য
বিকল্প, SiT1618, SiT8918, SiT8920 পড়ুন
1.8V এ সাধারণত 3.5 mA এর কম শক্তি খরচ
দীর্ঘ ব্যাটারি আয়ু জন্য স্ট্যান্ডবাই মোড
5 ms এর দ্রুত স্টার্টআপ সময়
LVCMOS/HCMOS সামঞ্জস্যপূর্ণ আউটপুট
ইন্ডাস্ট্রি-স্ট্যান্ডার্ড প্যাকেজ: 2.0 x 1.6, 2.5 x 2.0, 3.2 x 2.5,
5.0 x 3.2, 7.0 x 5.0 মিমি x মিমি
RoHS এবং REACH অনুগত, Pb-মুক্ত, হ্যালোজেন-মুক্ত এবং অ্যান্টিমনি-মুক্ত
স্পেসিফিকেশন:
শ্রেণী
|
ক্রিস্টাল, অসিলেটর, রেজোনেটর
|
অসিলেটর
|
|
Mfr
|
সিটাইম
|
সিরিজ
|
SiT1602
|
প্যাকেজ
|
স্ট্রিপ
|
পার্ট স্ট্যাটাস
|
সক্রিয়
|
বেস রেজোনেটর
|
MEMS
|
টাইপ
|
XO (স্ট্যান্ডার্ড)
|
ফ্রিকোয়েন্সি
|
54 মেগাহার্টজ
|
ফাংশন
|
চালু অচল
|
আউটপুট
|
LVCMOS
|
ভোল্টেজ সরবরাহ
|
3.3V
|
ফ্রিকোয়েন্সি স্থিতিশীলতা
|
±25 পিপিএম
|
অ্যাবসলুট পুল রেঞ্জ (এপিআর)
|
-
|
অপারেটিং তাপমাত্রা
|
-40°C ~ 85°C
|
স্প্রেড স্পেকট্রাম ব্যান্ডউইথ
|
-
|
বর্তমান - সরবরাহ (সর্বোচ্চ)
|
4.5mA
|
রেটিং
|
-
|
মাউন্ট টাইপ
|
গুফ
|
প্যাকেজ/কেস
|
4-এসএমডি, সীসা নেই
|
আকার / মাত্রা
|
0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm)
|
উচ্চতা - উপবিষ্ট (সর্বোচ্চ)
|
0.039" (1.00 মিমি)
|